АНО Национальный технологический центр цифровой криптографии
Организация
  • Об организации
  • Органы управления
  • Документы
  • СМИ о нас
  • Реквизиты
Проекты
НИР
Адаптер
Новости
Публикации
Мероприятия
Контакты
Техническая поддержка
Активация сертификата
Ещё
    Задать вопрос
    info@ntc-cc.ru
    Адрес: г.Москва, вн.тер.г. муниципальный округ Раменки, Раменский бульвар д.1
    Почтовый адрес: 119192, г.Москва,
    а/я 57, тел.: +7 (495) 363-82-75
    • Вконтакте
    • Telegram
    • YouTube
    • Одноклассники
    АНО Национальный технологический центр цифровой криптографии
    Национальный
    Cервис
    Мультисканер
    Ведутся технологические работы
    Организация
    • Об организации
    • Органы управления
    • Документы
    • СМИ о нас
    • Реквизиты
    Проекты
    НИР
    Адаптер
    Новости
    Публикации
    Мероприятия
    Контакты
    Техническая поддержка
    Активация сертификата
      АНО Национальный технологический центр цифровой криптографии
      Организация
      • Об организации
      • Органы управления
      • Документы
      • СМИ о нас
      • Реквизиты
      Проекты
      НИР
      Адаптер
      Новости
      Публикации
      Мероприятия
      Контакты
      Техническая поддержка
      Активация сертификата
        АНО Национальный технологический центр цифровой криптографии
        Национальный
        Cервис
        Мультисканер
        Ведутся технологические работы
        АНО Национальный технологический центр цифровой криптографии
        • Организация
          • Назад
          • Организация
          • Об организации
          • Органы управления
          • Документы
          • СМИ о нас
          • Реквизиты
        • Проекты
        • НИР
        • Адаптер
        • Новости
        • Публикации
        • Мероприятия
        • Контакты
        • Техническая поддержка
        • Активация сертификата
        info@ntc-cc.ru
        Адрес: г.Москва, вн.тер.г. муниципальный округ Раменки, Раменский бульвар д.1
        Почтовый адрес: 119192, г.Москва,
        а/я 57, тел.: +7 (495) 363-82-75
        • Вконтакте
        • Telegram
        • YouTube
        • Одноклассники
        • Главная
        • Новости и события
        • Новости отрасли
        • CN-центр: на шаг ближе к квантовой эре

        CN-центр: на шаг ближе к квантовой эре


        CN-центр: на шаг ближе к квантовой эре
        6 марта 2026
        Новости отрасли

        Исследователи описали в кремнии новый дефект, который может пригодиться для создания более практичных квантовых устройств в будущем. Команда из Калифорнийского университета в Санта-Барбаре представила CN-центр.

        Речь идёт о дефекте кристаллической решётки кремния, в котором участвуют атомы углерода и азота. Авторы считают, что такой вариант лучше подходит для масштабируемых квантовых процессоров и фотонных чипов на базе кремния, в том числе для компонентов, рассчитанных на телеком-диапазон.

        Интерес к таким дефектам связан с тем, как в твёрдом теле делают кубиты. Кубит — это физическая система с двумя устойчивыми квантовыми состояниями, которые условно соответствуют нулю и единице. В отличие от классического бита, кубит может находиться в суперпозиции: система одновременно остаётся в состоянии, которое включает оба варианта. Несколько связанных кубитов дают ещё более сложные комбинации состояний, и в этом смысле квантовое устройство получает возможность параллельно работать с большим числом вариантов. На практике всё упирается в устойчивость: квантовое состояние нужно удерживать достаточно долго, а затем уметь надёжно записать и считать результат.

        Один из рабочих подходов — использовать дефекты кристалла как носители квантовых состояний. В идеальной решётке атомы занимают строго определённые позиции. Если на уровне нескольких атомов появляется дефект, у него возникают собственные электронные уровни. Иногда такой дефект ведёт себя как локальная квантовая система, с которой можно работать через свет. Поэтому в квантовой фотонике много внимания уделяют дефектам, которые могут излучать отдельные фотоны и при этом сохранять квантовое состояние достаточно долго.

        В алмазе роль такого носителя играет NV-центр. В кремнии похожим кандидатом считали T-центр — дефект на основе углерода и водорода. Он привлекал тем, что излучает свет на длинах волн телеком-диапазона, удобных для оптоволоконной связи, и может давать долгоживущие квантовые состояния. Но водород плохо совместим с промышленной технологией: его атомы в кремнии легко перемещаются и перестраиваются при обработке пластин. Производство чипов почти всегда включает термообработки, на которых водород начинает мигрировать по кристаллу. В результате один и тот же технологический процесс может давать разные дефекты и разные свойства, а воспроизводимость для массового производства становится проблемой.

        Команда из Санта-Барбары попыталась убрать эту слабую точку. Исследователи заменили водород на азот и получили дефект нового типа — CN-центр, на основе углерода и азота. Руководитель проекта Кевин Нангои отмечает, что отсутствие водорода делает такой дефект более устойчивым и упрощает его реализацию в реальных устройствах, потому что исчезает проблема с миграцией водорода в процессе изготовления.

        Чтобы проверить, сохраняются ли полезные свойства, исследователи провели моделирование на уровне первых принципов. Такие расчёты описывают дефект на атомном уровне и опираются на квантовую механику и электронную структуру материала, а не на подгонку параметров под эксперимент. Модели помогают оценить, будет ли дефект устойчив в решётке, какие у него энергетические уровни и как он должен взаимодействовать со светом.

        По результатам расчётов CN-центр сохраняет свойства, из-за которых раньше интерес вызывал T-центр. Авторы отдельно отмечают, что более высокая стабильность может упростить интеграцию CN-центра в существующие платформы кремниевой фотоники, без специальных технологических приёмов, которые обычно нужны из-за подвижности водорода.

        Если эксперимент подтвердит существование и свойства CN-центра, у кремния может появиться источник квантового света на телеком-длинах волн без участия водорода. Такой компонент будет проще увязать с привычными материалами и инструментами микроэлектроники, а это важно для масштабирования: квантовые устройства чаще всего упираются не в отдельный удачный образец, а в повторяемость и совместимость с промышленным производством.

        Cannot find 'template1' template with page ''
        Подписаться

        Назад к списку
        Организация
        Проекты
        НИР
        Адаптер
        Новости
        Публикации
        Мероприятия
        Контакты
        Техническая поддержка
        Активация сертификата
        • Вконтакте
        • Telegram
        • YouTube
        • Одноклассники
        info@ntc-cc.ru
        Адрес: г.Москва, вн.тер.г. муниципальный округ Раменки, Раменский бульвар д.1
        Почтовый адрес: 119192, г.Москва,
        а/я 57, тел.: +7 (495) 363-82-75
        Подписка на рассылку
        Политика конфиденциальности
        © 2023 - 2026 АНО Национальный технологический центр цифровой криптографии